D'Gesamtinvestitioun an de Projet vu Mesk Electronics fir 3,6 Milliounen 8-Zoll Silizium epitaxial Wafere pro Joer ze produzéieren ass ongeféier 1,4 Milliarden Yuan.

D'Gesamtinvestitioun an de Projet vu Mesko Electronics fir 3,6 Milliounen 8-Zoll Silizium-Epitaxialwaferen ze produzéieren ass jäerlech méi wéi 1,4 Milliarden Yuan, mat enger Baufläch vu méi wéi 50.000 Quadratmeter. Nodeems de Projet ofgeschloss ass, wäert et jäerlech 3.6 Milliounen 8-Zoll Silizium epitaxial Wafere produzéieren, wat den Henan hëllefe wäerten d'Leedung an opkomende Industrien z'erreechen an déi kräfteg Entwécklung vun der Lokaliséierung vu Hallefleitmaterialien ze förderen.