Investiția totală în proiectul Mesk Electronics de a produce 3,6 milioane de plachete epitaxiale de siliciu de 8 inci anual este de aproximativ 1,4 miliarde de yuani.

Investiția totală în proiectul Mesko Electronics de a produce 3,6 milioane de plachete epitaxiale de siliciu de 8 inci depășește anual 1,4 miliarde de yuani, cu o suprafață de construcție de peste 50.000 de metri pătrați. După finalizarea proiectului, va produce anual 3,6 milioane de plachete epitaxiale de siliciu de 8 inci, ceea ce va ajuta Henan să preia conducerea în industriile emergente și să promoveze dezvoltarea viguroasă a localizării materialelor semiconductoare.