Kopējās investīcijas Mesk Electronics projektā, lai katru gadu ražotu 3,6 miljonus 8 collu silīcija epitaksiālo vafeļu, ir aptuveni 1,4 miljardi juaņu.

Kopējās investīcijas Mesko Electronics projektā, lai ik gadu ražotu 3,6 miljonus 8 collu silīcija epitaksiālo vafeļu, pārsniedz 1,4 miljardus juaņu ar būvniecības platību vairāk nekā 50 000 kvadrātmetru. Pēc projekta pabeigšanas tas katru gadu saražos 3,6 miljonus 8 collu silīcija epitaksiālo plāksnīšu, kas palīdzēs Henan pārņemt vadošo lomu jaunajās nozarēs un veicinās pusvadītāju materiālu lokalizācijas enerģisku attīstību.