მთლიანი ინვესტიცია Mesk Electronics-ის პროექტში ყოველწლიურად 3,6 მილიონი 8 დიუმიანი სილიკონის ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოებისთვის არის დაახლოებით 1,4 მილიარდი იუანი.

მთლიანი ინვესტიცია Mesko Electronics-ის პროექტში ყოველწლიურად 3.6 მილიონი 8 დიუმიანი სილიკონის ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოებისთვის აღემატება 1.4 მილიარდ იუანს, სამშენებლო ფართობით 50000 კვადრატულ მეტრზე მეტი. პროექტის დასრულების შემდეგ, იგი ყოველწლიურად აწარმოებს 3,6 მილიონ 8 დიუმიან სილიკონის ეპიტაქსიალურ ვაფლს, რაც დაეხმარება ჰენანს დაეუფლოს განვითარებად ინდუსტრიებში და ხელი შეუწყოს ნახევარგამტარული მასალების ლოკალიზაციის ენერგიულ განვითარებას.