積塔半導體與寧波安建半導體達成合作，共同開發SiC元件

積塔半導體與寧波安建半導體有限公司（簡稱安建半導體）達成合作協議，共同開發SiC元件。雙方在參觀安建半導體模組產線後，討論了產品需求和後續開發項目，並決定加速完成平面型碳化矽（SiC）MOS元件的開發，並攜手邁進新一代溝槽型SiC MOS元件的開發。同時，雙方也將啟動基於8吋薄片和氫注入製程的高階FRD產品開發。