Jita Semiconductor болон Ningbo Anjian Semiconductor нар хамтран SiC төхөөрөмж бүтээхээр хамтран ажиллаж байна.

Jita Semiconductor компани нь Ningbo Anjian Semiconductor Co.,Ltd (Анжиан Semiconductor гэгддэг)-тай SiC төхөөрөмжийг хамтран хөгжүүлэх хамтын ажиллагааны гэрээ байгууллаа. Анжяний хагас дамжуулагч модулийн үйлдвэрлэлийн шугамд зочилсны дараа хоёр тал бүтээгдэхүүний хэрэгцээ, цаашдын хөгжлийн төслүүдийн талаар ярилцаж, хавтгай цахиурын карбидын (SiC) MOS төхөөрөмжийн хөгжлийг түргэтгэж, шинэ үеийн суваг SiC MOS төхөөрөмжийг хөгжүүлэхээр хамтран ажиллахаар шийджээ. Үүний зэрэгцээ, хоёр тал мөн 8 инчийн вафель болон устөрөгчийн шахах технологид суурилсан өндөр зэрэглэлийн FRD бүтээгдэхүүнийг боловсруулж эхэлнэ.