Jita Semiconductor und Ningbo Anjian Semiconductor haben eine Kooperation zur gemeinsamen Entwicklung von SiC-Geräten vereinbart

Jita Semiconductor hat eine Kooperationsvereinbarung mit Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (im Folgenden als Anjian Semiconductor bezeichnet) zur gemeinsamen Entwicklung von SiC-Geräten geschlossen. Nach dem Besuch der Halbleitermodul-Produktionslinie von Anjian besprachen die beiden Parteien Produktanforderungen und Folgeentwicklungsprojekte und beschlossen, die Entwicklung planarer Siliziumkarbid-MOS-Geräte (SiC) zu beschleunigen und gemeinsam an der Entwicklung einer neuen Generation von Trench-SiC-MOS-Geräten zu arbeiten. Gleichzeitig werden die beiden Parteien auch mit der Entwicklung hochwertiger FRD-Produkte auf Basis von 8-Zoll-Wafern und Wasserstoffinjektionstechnologie beginnen.