Jita Semiconductor ja Ningbo Anjian Semiconductor ovat päässeet yhteistyöhön kehittääkseen yhdessä SiC-laitteita

Jita Semiconductor on tehnyt yhteistyösopimuksen Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd.:n (jäljempänä Anjian Semiconductor) kanssa kehittääkseen yhdessä piikarbidilaitteita. Vierailtuaan Anjianin puolijohdemoduulien tuotantolinjalla osapuolet keskustelivat tuotetarpeista ja jatkokehitysprojekteista ja päättivät nopeuttaa tasomaisten piikarbidi (SiC) MOS-laitteiden kehitystä ja työskennellä yhdessä kehittääkseen uuden sukupolven kaivattuja SiC MOS -laitteita. Samalla osapuolet aloittavat myös 8 tuuman kiekkoihin ja vedyn ruiskutustekniikkaan perustuvien huippuluokan FRD-tuotteiden kehittämisen.