Jita Semiconductor og Ningbo Anjian Semiconductor hafa náð samstarfi um að þróa saman SiC tæki

Jita Semiconductor hefur náð samstarfssamningi við Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (vísað til sem Anjian Semiconductor) um að þróa saman SiC tæki. Eftir að hafa heimsótt Anjian hálfleiðara mát framleiðslu línu, ræddu tveir aðilar vöruþarfir og eftirfylgni þróunarverkefni, og ákváðu að flýta fyrir þróun planar kísilkarbíð (SiC) MOS tækja og vinna saman að þróun nýrrar kynslóðar skurðar SiC MOS tækja. Á sama tíma munu aðilarnir tveir einnig hefja þróun á hágæða FRD vörum sem byggjast á 8 tommu oblátum og vetnisinnsprautunarferlum.