Jita Semiconductor och Ningbo Anjian Semiconductor har nått ett samarbete för att gemensamt utveckla SiC-enheter

Jita Semiconductor har nått ett samarbetsavtal med Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (kallas Anjian Semiconductor) för att gemensamt utveckla SiC-enheter. Efter att ha besökt Anjians produktionslinje för halvledarmoduler diskuterade de två parterna produktbehov och uppföljande utvecklingsprojekt och beslutade att påskynda utvecklingen av plana kiselkarbid (SiC) MOS-enheter och arbeta tillsammans för att utveckla en ny generation av trench SiC MOS-enheter. Samtidigt kommer de två parterna också att initiera utvecklingen av avancerade FRD-produkter baserade på 8-tums wafers och väteinjektionsprocesser.