Tá comhoibriú bainte amach ag Jita Semiconductor agus Ningbo Anjian Semiconductor chun feistí SiC a fhorbairt i gcomhpháirt.

Tá comhaontú comhair bainte amach ag Jita Semiconductor le Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (dá ngairtear Anjian Semiconductor) chun feistí SiC a fhorbairt i gcomhpháirt. Tar éis cuairt a thabhairt ar líne táirgeachta modúl leathsheoltóra Anjian, phléigh an dá pháirtí riachtanais táirgí agus tionscadail forbartha leantacha, agus chinn siad dlús a chur le forbairt feistí MOS chomhdhúile sileacain pleanr (SiC) agus oibriú le chéile chun glúin nua de ghléasanna trinse SiC MOS MOS a fhorbairt. Ag an am céanna, cuirfidh an dá pháirtí tús freisin le forbairt táirgí ard-deireadh FRD atá bunaithe ar wafers 8-orlach agus teicneolaíocht insteallta hidrigine.