Η Jita Semiconductor και η Ningbo Anjian Semiconductor κατέληξαν σε συνεργασία για την από κοινού ανάπτυξη συσκευών SiC

Η Jita Semiconductor έχει συνάψει συμφωνία συνεργασίας με την Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (αναφέρεται ως Anjian Semiconductor) για την από κοινού ανάπτυξη συσκευών SiC. Αφού επισκέφτηκαν τη γραμμή παραγωγής μονάδων ημιαγωγών της Anjian, τα δύο μέρη συζήτησαν τις ανάγκες προϊόντων και τα επόμενα έργα ανάπτυξης και αποφάσισαν να επιταχύνουν την ανάπτυξη συσκευών MOS επίπεδου καρβιδίου του πυριτίου (SiC) και να συνεργαστούν για την ανάπτυξη μιας νέας γενιάς συσκευών SiC MOS. Ταυτόχρονα, τα δύο μέρη θα ξεκινήσουν επίσης την ανάπτυξη προϊόντων FRD υψηλής τεχνολογίας που βασίζονται σε γκοφρέτες 8 ιντσών και τεχνολογία έγχυσης υδρογόνου.