Jita Semiconductor și Ningbo Anjian Semiconductor au ajuns la o cooperare pentru a dezvolta împreună dispozitive SiC

Jita Semiconductor a ajuns la un acord de cooperare cu Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (denumită Anjian Semiconductor) pentru a dezvolta în comun dispozitive SiC. După ce au vizitat linia de producție a modulelor semiconductoare Anjian, cele două părți au discutat despre nevoile de produse și proiectele de dezvoltare ulterioare și au decis să accelereze dezvoltarea dispozitivelor MOS cu carbură de siliciu plană (SiC) și să lucreze împreună pentru a dezvolta o nouă generație de dispozitive SiC MOS de șanț. În același timp, cele două părți vor iniția și dezvoltarea de produse FRD de ultimă generație bazate pe napolitane de 8 inci și procese de injectare a hidrogenului.