Jita Semiconductor in Ningbo Anjian Semiconductor sta dosegla sodelovanje za skupen razvoj naprav SiC

Podjetje Jita Semiconductor je s podjetjem Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (v nadaljevanju Anjian Semiconductor) sklenilo sporazum o sodelovanju za skupni razvoj naprav SiC. Po obisku Anjianove proizvodne linije polprevodniških modulov sta obe strani razpravljali o potrebah izdelkov in nadaljnjih razvojnih projektih ter se odločili, da pospešita razvoj planarnih naprav iz silicijevega karbida (SiC) MOS in sodelujeta pri razvoju nove generacije naprav SiC MOS. Obe strani bosta obenem začeli tudi z razvojem vrhunskih izdelkov FRD, ki temeljijo na 8-palčnih rezinah in postopkih vbrizgavanja vodika.