Jita Semiconductor i Ningbo Anjian Semiconductor nawiązały współpracę w celu wspólnego opracowywania urządzeń SiC

Jita Semiconductor osiągnęła porozumienie o współpracy z firmą Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (zwaną Anjian Semiconductor) w celu wspólnego opracowywania urządzeń SiC. Po wizycie na linii produkcyjnej modułów półprzewodnikowych firmy Anjian obie strony omówiły potrzeby dotyczące produktów i dalsze projekty rozwojowe, a także zdecydowały przyspieszyć rozwój płaskich urządzeń MOS z węglika krzemu (SiC) i współpracować w celu opracowania nowej generacji okopowych urządzeń SiC MOS. Jednocześnie obie strony zainicjują także rozwój wysokiej klasy produktów FRD w oparciu o 8-calowe płytki i procesy wtrysku wodoru.