Jita Semiconductor a Ningbo Anjian Semiconductor dosiahli spoluprácu na spoločnom vývoji zariadení SiC

Jita Semiconductor dosiahla dohodu o spolupráci so spoločnosťou Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (ďalej len Anjian Semiconductor) na spoločnom vývoji zariadení SiC. Po návšteve výrobnej linky polovodičových modulov spoločnosti Anjian obe strany diskutovali o potrebách produktov a projektoch následného vývoja a rozhodli sa urýchliť vývoj zariadení MOS s planárnym karbidom kremíka (SiC) a spolupracovať na vývoji novej generácie výkopových zariadení MOS SiC. Obe strany zároveň iniciujú vývoj špičkových produktov FRD založených na 8-palcových doštičkách a procesoch vstrekovania vodíka.