Jita Semiconductor a Ningbo Anjian Semiconductor dosáhly spolupráce na společném vývoji SiC zařízení

Jita Semiconductor dosáhla dohody o spolupráci se společností Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (dále jen Anjian Semiconductor) na společném vývoji SiC zařízení. Po návštěvě výrobní linky Anjianových polovodičových modulů obě strany diskutovaly o potřebách produktu a navazujících vývojových projektech a rozhodly se urychlit vývoj planárních zařízení MOS z karbidu křemíku (SiC) a spolupracovat na vývoji nové generace výkopových SiC MOS zařízení. Současně budou obě strany také iniciovat vývoj špičkových produktů FRD založených na 8palcových waferech a procesech vstřikování vodíku.