A Jita Semiconductor és a Ningbo Anjian Semiconductor együttműködést kötött a SiC eszközök közös fejlesztése érdekében

A Jita Semiconductor együttműködési megállapodást kötött a Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd.-vel (a továbbiakban: Anjian Semiconductor), hogy közösen fejlesszenek SiC eszközöket. Az Anjian félvezető modulok gyártósorának meglátogatása után a két fél megvitatta a termékszükségleteket és az azt követő fejlesztési projekteket, és úgy döntött, hogy felgyorsítják a sík szilíciumkarbid (SiC) MOS-eszközök fejlesztését, és közösen dolgoznak az árokba épített SiC MOS-eszközök új generációjának kifejlesztésén. Ezzel egy időben a két fél megkezdi a 8 hüvelykes ostyákon és hidrogén-befecskendezési technológián alapuló csúcskategóriás FRD termékek fejlesztését is.