Jita Semiconductor i Ningbo Anjian Semiconductor postigli su suradnju za zajednički razvoj SiC uređaja

Jita Semiconductor je postigao sporazum o suradnji s tvrtkom Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (dalje u tekstu Anjian Semiconductor) za zajednički razvoj SiC uređaja. Nakon posjeta Anjianovoj proizvodnoj liniji poluvodičkih modula, dvije su strane razgovarale o potrebama proizvoda i pratećim razvojnim projektima te su odlučile ubrzati razvoj planarnih silicij-karbidnih (SiC) MOS uređaja i raditi zajedno na razvoju nove generacije jarak SiC MOS uređaja. U isto vrijeme, dvije strane će također započeti razvoj vrhunskih FRD proizvoda koji se temelje na 8-inčnim pločicama i tehnologiji ubrizgavanja vodika.