Jita Semiconductor dan Ningbo Anjian Semiconductor telah mencapai kerja sama untuk bersama-sama mengembangkan perangkat SiC

Jita Semiconductor telah mencapai perjanjian kerja sama dengan Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (disebut Anjian Semiconductor) untuk bersama-sama mengembangkan perangkat SiC. Setelah mengunjungi lini produksi modul semikonduktor Anjian, kedua pihak mendiskusikan kebutuhan produk dan proyek pengembangan lanjutan, serta memutuskan untuk mempercepat pengembangan perangkat MOS planar silikon karbida (SiC) dan bekerja sama untuk mengembangkan perangkat parit SiC MOS generasi baru. Pada saat yang sama, kedua pihak juga akan memulai pengembangan produk FRD kelas atas berbasis wafer 8 inci dan teknologi injeksi hidrogen.