Jita Semiconductor dan Ningbo Anjian Semiconductor telah mencapai kerjasama untuk bersama-sama membangunkan peranti SiC

Jita Semiconductor telah mencapai perjanjian kerjasama dengan Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (dirujuk sebagai Anjian Semiconductor) untuk bersama-sama membangunkan peranti SiC. Selepas melawat barisan pengeluaran modul semikonduktor Anjian, kedua-dua pihak membincangkan keperluan produk dan projek pembangunan susulan, dan memutuskan untuk mempercepatkan pembangunan peranti MOS silikon karbida (SiC) planar dan bekerjasama untuk membangunkan peranti SiC MOS parit generasi baharu. Pada masa yang sama, kedua-dua pihak juga akan memulakan pembangunan produk FRD mewah berasaskan wafer 8 inci dan teknologi suntikan hidrogen.