توصلت شركة Jita Semiconductor وشركة Ningbo Anjian Semiconductor إلى تعاون لتطوير أجهزة SiC بشكل مشترك

توصلت شركة Jita Semiconductor إلى اتفاقية تعاون مع شركة Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (يشار إليها باسم Anjian Semiconductor) لتطوير أجهزة SiC بشكل مشترك. بعد زيارة خط إنتاج وحدة أشباه الموصلات في Anjian، ناقش الطرفان احتياجات المنتج ومتابعة مشاريع التطوير، وقررا تسريع تطوير أجهزة MOS من كربيد السيليكون المستوي (SiC) والعمل معًا لتطوير جيل جديد من أجهزة MOS الخندقية من كربيد السيليكون (SiC). وفي الوقت نفسه، سيبدأ الطرفان أيضًا في تطوير منتجات FRD المتطورة استنادًا إلى الرقائق مقاس 8 بوصات وعمليات حقن الهيدروجين.