Jita Semiconductor و Ningbo Anjian Semiconductor برای توسعه مشترک دستگاه های SiC با یکدیگر همکاری کردند.

Jita Semiconductor با شرکت Ningbo Anjian Semiconductor Ltd. (که با عنوان Anjian Semiconductor نامیده می شود) به توافق همکاری برای توسعه مشترک دستگاه های SiC دست یافته است. پس از بازدید از خط تولید ماژول نیمه هادی Anjian، دو طرف در مورد نیازهای محصول و پروژه های توسعه بعدی بحث کردند و تصمیم گرفتند که توسعه دستگاه های MOS کاربید سیلیکون مسطح (SiC) را تسریع بخشند و برای توسعه نسل جدیدی از دستگاه های SiC MOS ترانشه همکاری کنند. در همان زمان، دو طرف همچنین توسعه محصولات FRD پیشرفته را بر اساس ویفرهای 8 اینچی و فرآیندهای تزریق هیدروژن آغاز خواهند کرد.