Jita Semiconductor ו-Ningbo Anjian Semiconductor הגיעו לשיתוף פעולה לפיתוח משותף של התקני SiC

Jita Semiconductor הגיעה להסכם שיתוף פעולה עם Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (המכונה Anjian Semiconductor) לפיתוח משותף של התקני SiC. לאחר ביקור בקו הייצור של מודול המוליכים למחצה של Anjian, שני הצדדים דנו בצרכי המוצר ובפרויקטי פיתוח המשך, והחליטו להאיץ את הפיתוח של התקני MOS של סיליקון קרביד מישוריים (SiC) ולעבוד יחד לפיתוח דור חדש של התקני MOS SiC תעלה. במקביל, שני הצדדים יזמו גם פיתוח של מוצרי FRD מתקדמים המבוססים על פרוסות 8 אינץ' ותהליכי הזרקת מימן.