Jita Semiconductor və Ningbo Anjian Semiconductor SiC cihazlarını birgə inkişaf etdirmək üçün əməkdaşlığa nail oldular

Jita Semiconductor SiC cihazlarını birgə inkişaf etdirmək üçün Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (Anjian Semiconductor kimi istinad edilir) ilə əməkdaşlıq razılaşması əldə edib. Anjianın yarımkeçirici modul istehsal xəttini ziyarət etdikdən sonra iki tərəf məhsula olan ehtiyacları və sonrakı inkişaf layihələrini müzakirə etdilər və planar silisium karbid (SiC) MOS cihazlarının inkişafını sürətləndirmək və yeni nəsil xəndək SiC MOS cihazlarını hazırlamaq üçün birlikdə işləmək qərarına gəldilər. Eyni zamanda, iki tərəf 8 düymlük vaflilərə və hidrogen inyeksiya texnologiyasına əsaslanan yüksək səviyyəli FRD məhsullarının hazırlanmasına da başlayacaq.