Jita Semiconductor en Ningbo Anjian Semiconductor het 'n samewerking bereik om SiC-toestelle gesamentlik te ontwikkel

Jita Semiconductor het 'n samewerkingsooreenkoms met Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (na verwys as Anjian Semiconductor) bereik om gesamentlik SiC-toestelle te ontwikkel. Nadat hulle Anjian se halfgeleiermodule-produksielyn besoek het, het die twee partye produkbehoeftes en opvolgontwikkelingsprojekte bespreek, en besluit om die ontwikkeling van planêre silikonkarbied (SiC) MOS-toestelle te versnel en saam te werk om 'n nuwe generasie sloot SiC MOS-toestelle te ontwikkel. Terselfdertyd sal die twee partye ook die ontwikkeling van hoë-end FRD-produkte begin, gebaseer op 8-duim-wafers en waterstofinspuitingsprosesse.