Kiinan elektroniikkateknologian (Shanxi) SiC Materials Industrial Basen toisen vaiheen hankkeen esittely

China Electronics Technology (Shanxi) SiC Materials Industrial Base -hankkeen toisen vaiheen rakentaminen alkaa syyskuussa 2023, ja edellytykset laitteiden saapumiselle tehtaalle ovat tällä hetkellä olemassa. Hankkeen kokonaisinvestointi on 500 miljoonaa yuania ja se rakentaa pääasiassa kokonaisvaltaisen tehdasrakennuksen, jonka kokonaispinta-ala on 16 000 neliömetriä, mukaan lukien monokiteiset tuotantolaitokset, tehoa tukevat tilat jne. Sen odotetaan valmistuvan vuonna 2025, ja sen vuotuinen tuotantokapasiteetti on jopa 300 000 piikarbidisubstraattia.