Introduzione alla seconda fase del progetto della base industriale dei materiali SiC di China Electronics Technology (Shanxi).

La seconda fase del progetto SiC Materials Industrial Base di China Electronics Technology (Shanxi) inizierà la costruzione nel settembre 2023 e ci sono attualmente le condizioni per l’ingresso delle apparecchiature nella fabbrica. Il progetto prevede un investimento totale di 500 milioni di yuan e prevede principalmente la costruzione di una fabbrica completa con una superficie totale di 16.000 metri quadrati, compresi laboratori di produzione monocristallina, strutture di supporto energetico, ecc. Si prevede che entrerà in produzione nel 2025, con una capacità di produzione annua fino a 300.000 substrati SiC.