Aféierung an der zweeter Phase Projet vun China Electronics Technology (Shanxi) SiC Material Industriell Base

Déi zweet Phas vum China Electronics Technology (Shanxi) SiC Materials Industrial Base Projet fänkt am September 2023 mam Bau un, an d'Konditioune fir Ausrüstung fir an d'Fabréck ze kommen sinn am Moment op der Plaz. De Projet huet eng Gesamtinvestitioun vu 500 Milliounen Yuan a konstruéiert haaptsächlech en ëmfaassend Fabrécksgebai mat enger Gesamtfläch vun 16.000 Quadratmeter, inklusiv monokristallin Produktiounsatelier, Kraaftstützungsanlagen, asw. Et gëtt erwaart an d'Produktioun 2025 agefouert ze ginn, mat enger jährlecher Produktiounskapazitéit vu bis zu 300,000 SiC Substrater.