Wprowadzenie do drugiego etapu projektu bazy przemysłowej materiałów SiC w Chinach Electronics Technology (Shanxi).

Budowa drugiej fazy projektu China Electronics Technology (Shanxi) SiC Materials Industrial Base rozpocznie się we wrześniu 2023 r., a obecnie istnieją warunki umożliwiające wprowadzenie sprzętu do fabryki. Projekt ma łączną kwotę inwestycji wynoszącą 500 milionów juanów i obejmuje głównie budowę kompleksowego budynku fabrycznego o łącznej powierzchni 16 000 metrów kwadratowych, w tym warsztaty produkcyjne monokrystaliczne, obiekty wspierające energię itp. Ma zostać oddany do produkcji w 2025 roku, a roczna zdolność produkcyjna wyniesie do 300 000 podłoży SiC.