Úvod do druhej fázy projektu China Electronics Technology (Shanxi) SiC Materials Industrial Base

Druhá fáza projektu China Electronics Technology (Shanxi) SiC Materials Industrial Base sa začne stavať v septembri 2023 a v súčasnosti sú splnené podmienky pre vstup zariadení do továrne. Projekt má celkovú investíciu 500 miliónov juanov a hlavne stavia komplexnú továrenskú budovu s celkovou rozlohou 16 000 metrov štvorcových vrátane monokryštalických výrobných dielní, zariadení na podporu energie atď. Očakáva sa, že bude uvedený do výroby v roku 2025, s ročnou výrobnou kapacitou až 300 000 SiC substrátov.