Sissejuhatus Hiina elektroonikatehnoloogia (Shanxi) SiC Materials Industrial Base teise etapi projekti

Hiina elektroonikatehnoloogia (Shanxi) SiC Materials Industrial Base projekti teine ​​etapp algab 2023. aasta septembris ning praegu on tingimused seadmete tehasesse sisenemiseks olemas. Projekti koguinvesteering on 500 miljonit jüaani ja see ehitab peamiselt terviklikku tehasehoonet kogupindalaga 16 000 ruutmeetrit, sealhulgas monokristalliliste tootmistsehhade, toiteallikate jms. Eeldatakse, et see hakatakse tootma 2025. aastal, aastane tootmisvõimsus on kuni 300 000 SiC substraati.