Hyrje në projektin e fazës së dytë të bazës industriale të materialeve të teknologjisë elektronike të Kinës (Shanxi) SiC

Faza e dytë e projektit të bazës industriale të materialeve të teknologjisë elektronike të Kinës (Shanxi) SiC do të fillojë të ndërtohet në shtator 2023 dhe kushtet për hyrjen e pajisjeve në fabrikë janë aktualisht. Projekti ka një investim total prej 500 milionë juanë dhe kryesisht ndërton një ndërtesë gjithëpërfshirëse fabrike me një sipërfaqe totale prej 16,000 metrash katrorë, duke përfshirë punishtet e prodhimit monokristalor, objektet mbështetëse të energjisë, etj. Ai pritet të vihet në prodhim në vitin 2025, me një kapacitet prodhimi vjetor deri në 300,000 substrate SiC.