China Electronics Technology (Shanxi) SiC Materials Industrial Base ၏ ဒုတိယအဆင့် ပရောဂျက်ကို မိတ်ဆက်ခြင်း။

China Electronics Technology (Shanxi) SiC Materials Industrial Base ပရောဂျက်၏ ဒုတိယအဆင့်ကို 2023 ခုနှစ် စက်တင်ဘာလတွင် စတင်တည်ဆောက်မည်ဖြစ်ပြီး စက်ရုံအတွင်းသို့ စက်ပစ္စည်းဝင်ရောက်ရန် အခြေအနေများသည် လက်ရှိတွင် တည်ရှိနေပါသည်။ စီမံကိန်းတွင် စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု ယွမ် သန်း ၅၀၀ ရှိပြီး အဓိကအားဖြင့် monocrystalline ထုတ်လုပ်မှု အလုပ်ရုံများ၊ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးရေး အထောက်အကူပြု အဆောက်အဦများ အပါအဝင် စုစုပေါင်း ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၆၀၀၀ ကျယ်ဝန်းသော စက်ရုံအဆောက်အအုံကို အဓိကထား တည်ဆောက်မည်ဖြစ်သည်။ SiC အလွှာ 300,000 အထိ နှစ်စဉ် ထုတ်လုပ်မှု စွမ်းအားဖြင့် 2025 ခုနှစ်တွင် ထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။