CETC Semiconductor Materials Co., Ltd. Введена в эксплуатацию промышленная база эпитаксиальных материалов в Нанкине.

75
Проект промышленной базы эпитаксиальных материалов в Нанкине компании China Electronics Semiconductor Materials Co., Ltd. был подписан 27 сентября 2021 года и расположен в комплексной связанной зоне развития Нанкина Цзяннин, занимающей площадь около 100 000 квадратных метров. В ноябре 2022 года на промышленной базе было запущено первое оборудование для эпитаксии кремния и эпитаксии SiC, что ознаменовало переход промышленной базы на стадию опытного производства и проверки. После того, как проект выйдет на производство, годовая производственная мощность составит 126 000 6-8-дюймовых составных эпитаксиальных пластин.