Το SiC MOSFET δεύτερης γενιάς της Xinta Electronics επιτυγχάνει ηγετική θέση στον κλάδο

Η Xinta Electronics παρήγαγε με επιτυχία το SiC MOSFET δεύτερης γενιάς. Ταυτόχρονα, το επερχόμενο SiC MOSFET τρίτης γενιάς της Xinta Electronics έχει επιτύχει σημαντικές τεχνολογικές καινοτομίες σε επίπεδο κυψέλης και η συνολική του απόδοση έχει βελτιωθεί περαιτέρω.