يحقق الجيل الثاني من SiC MOSFET من Xinta Electronics الريادة في الصناعة

نجحت شركة Xinta Electronics في إنتاج الجيل الثاني من SiC MOSFET بكميات كبيرة، وقد حققت هذه السلسلة من المنتجات نتائج رائعة من حيث عامل جدارة الجهاز وأداء البوابة المضادة للتداخل، لتصبح رائدة في الصناعة. وفي الوقت نفسه، حقق الجيل الثالث القادم من SiC MOSFET من شركة Xinta Electronics ابتكارات تكنولوجية كبيرة على مستوى الخلية، وتم تحسين أدائه العام بشكل أكبر.