הדור השני של SiC MOSFET של Xinta Electronics משיג מובילות בתעשייה

Xinta Electronics ייצרה בהצלחה את הדור השני של SiC MOSFET. סדרת מוצרים זו השיגה תוצאות יוצאות דופן במונחים של גורם ראוי למכשיר וביצועי אנטי-הצלבה, והפכה למובילה בתעשייה. במקביל, הדור השלישי של SiC MOSFET של Xinta Electronics השיג חידושים טכנולוגיים גדולים ברמת התא, והביצועים הכוללים שלו שופרו עוד יותר.