Xinta Electronics’ mokõiha generación SiC MOSFET ohupyty liderazgo industria-pe

Xinta Electronics oproduci exitosamente en masa mokõiha generación SiC MOSFET Ko serie de productos ohupyty resultado notable en términos de factor de mérito dispositivo ha rendimiento anti-diafonía compuerta, oikóva líder industria-pe. Upe jave avei, Xinta Electronics’ SiC MOSFET mbohapýha generación oútava ohupyty tuicha mba’e pyahu tecnológico nivel celular-pe, ha oñemyatyrõve hembiapo tuichakue.