Фабриката на Xinchen Semiconductor Suzhou е пусната в експлоатация, като се фокусира върху производството на VCSEL и EEL лазерни чипове

Епитаксиалното оборудване на Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. е пуснато в производство, обхващащо изцяло материални системи от кватернерни съединения на оптичен чип с галиев арсенид (GaAs) и индиев фосфид (InP). Понастоящем компанията е постигнала масово производство на епитаксиални пластини в диапазона на дължината на вълната от 760 nm до 1700 nm, а епитаксиалната еднородност се контролира в рамките на 2 nm извън дължината на вълната на лазерния център.