Проект модуля Jingyitong IGBT официально стартовал в Нэйцзяне, Сычуань.

18 апреля компания Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. провела церемонию закладки фундамента проекта промышленного парка материалов модуля IGBT, а также модуля упаковки и тестирования в городе Нэйцзян. Общий объем инвестиций в проект составляет 1,2 миллиарда юаней, а его площадь составляет 150 акров. В рамках проекта будет построена полная производственная цепочка, включая материалы для мощных модулей IGBT, упаковочные подложки, материалы для упаковки и тестирования, а также прецизионные компоненты для полупроводникового оборудования. . Ожидается, что годовой объем производства достигнет 1 миллиарда юаней после выхода на полную производственную мощность.