Projekt modułu Jingyitong IGBT oficjalnie rozpoczął się w Neijiang w Syczuanie

W dniu 18 kwietnia firma Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. zorganizowała ceremonię wmurowania kamienia węgielnego pod projekt parku przemysłowego modułów IGBT oraz opakowania i modułu testowego w mieście Neijiang. Projekt ma łączną kwotę inwestycji wynoszącą 1,2 miliarda juanów i obejmuje obszar 150 akrów. W jego ramach zbuduje się pełny łańcuch przemysłowy, w tym materiały na moduły IGBT dużej mocy, podłoża opakowaniowe i materiały do ​​testowania opakowań, a także precyzyjne komponenty do sprzętu półprzewodnikowego. Oczekuje się, że roczna wartość produkcji osiągnie 1 miliard juanów po osiągnięciu pełnych mocy produkcyjnych.