Jingyitong IGBT modulio projektas oficialiai prasidėjo Neijiang mieste, Sičuane

Balandžio 18 d. Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. Neijiang mieste surengė IGBT modulių medžiagų ir pakavimo bei testavimo modulio pramoninio parko projekto novatorišką ceremoniją. Į projektą investuota 1,2 milijardo juanių, o jo plotas – 150 akrų. Jame bus sukurta visa pramoninė grandinė, apimanti didelės galios IGBT modulių medžiagas, pakavimo substratus ir pakavimo bandymo medžiagas bei tikslius puslaidininkinės įrangos komponentus. Tikimasi, kad pasiekus visus gamybos pajėgumus metinė produkcijos vertė pasieks 1 milijardą juanių.