Xinchen Semiconductor gab die Inbetriebnahme einer neuen Epitaxieausrüstung bekannt, die alle Materialsysteme abdeckt

Xinchen Semiconductor gab bekannt, dass seine neue Epitaxieausrüstung offiziell in Produktion genommen wurde und optische quaternäre Verbindungssysteme aus Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) abdeckt. Derzeit ist es dem Unternehmen gelungen, epitaktische Wafer im Wellenlängenbereich von 760 nm bis 1700 nm in Massenproduktion herzustellen, wobei die epitaktische Gleichmäßigkeit innerhalb von 2 nm außerhalb der Wellenlänge des Laserzentrums kontrolliert wird. Darüber hinaus wurden epitaktische Laserchip-Wafer mit typischen Wellenlängen wie 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 und 1654 nm in unabhängigen Produktionslinien für VCSEL- oder DFB-Chips erfolgreich verifiziert.