Xinchen Semiconductor anunció el lanzamiento de nuevos equipos epitaxiales, que cubren todos los sistemas de materiales.

Xinchen Semiconductor anunció que su nuevo equipo epitaxial se ha puesto oficialmente en producción, que cubre sistemas de todos materiales compuestos cuaternarios de chips ópticos de arseniuro de galio (GaAs) y fosfuro de indio (InP). En la actualidad, la empresa ha logrado con éxito la producción en masa de obleas epitaxiales en el rango de longitud de onda de 760 nm a 1700 nm, y la uniformidad epitaxial se controla dentro de 2 nm fuera de la longitud de onda del centro láser. Además, se han verificado con éxito obleas epitaxiales de chips láser con longitudes de onda típicas, como 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 y 1654 nm, en líneas de producción independientes para chips VCSEL o DFB.