Xinchen Semiconductor huet de Start vun neien epitaxialen Ausrüstung ugekënnegt, déi all Materialsystemer deckt

Xinchen Semiconductor huet ugekënnegt datt seng nei epitaxial Ausrüstung offiziell an d'Produktioun gesat gouf, iwwerdeckt Galliumarsenid (GaAs) an Indiumphosphid (InP) optesch Chip quaternär Verbindung all-Material Systemer. Am Moment, huet d'Firma erfollegräich Mass Produktioun vun epitaxial wafers am Wellelängt Gamme vu 760nm ze 1700nm erreecht, an der epitaxial Uniformitéit bannent 2nm ausserhalb der lasing Zentrum Wellelängt kontrolléiert haten. Zousätzlech, Laser Chip epitaxial wafers mat typesch Wellelängten, wéi 808, 850, 905, 940, 1064, 1550, an 1654nm, goufen erfollegräich an onofhängeg Produktioun Linnen fir VCSEL oder DFB Chips verifizéiert.