Xinchen Semiconductor, tüm malzeme sistemlerini kapsayan yeni epitaksiyel ekipmanın devreye alındığını duyurdu

Xinchen Semiconductor, galyum arsenit (GaAs) ve indiyum fosfit (InP) optik çip dörtlü bileşik tüm malzeme sistemlerini kapsayan yeni epitaksiyel ekipmanının resmi olarak üretime alındığını duyurdu. Şu anda şirket, 760 nm ila 1700 nm dalga boyu aralığında epitaksiyel levhaların seri üretimini başarıyla gerçekleştirmiştir ve epitaksiyel tekdüzelik, lazer merkezi dalga boyunun dışında 2 nm içinde kontrol edilmektedir. Ek olarak, 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 ve 1654nm gibi tipik dalga boylarına sahip lazer çip epitaksiyel levhalar, VCSEL veya DFB çipleri için bağımsız üretim hatlarında başarıyla doğrulanmıştır.