Xinchen Semiconductor a anunțat lansarea unui nou echipament epitaxial, care acoperă toate sistemele de materiale

Xinchen Semiconductor a anunțat că noul său echipament epitaxial a fost pus oficial în producție, acoperind sisteme cuaternare de cip cuaternar cu arseniură de galiu (GaAs) și fosfură de indiu (InP). În prezent, compania a realizat cu succes producția de masă de plachete epitaxiale în intervalul de lungimi de undă de la 760 nm la 1700 nm, iar uniformitatea epitaxială este controlată în 2 nm în afara lungimii de undă a centrului laser. În plus, plachetele epitaxiale cu cip laser cu lungimi de undă tipice, cum ar fi 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 și 1654 nm, au fost verificate cu succes în linii de producție independente pentru cipuri VCSEL sau DFB.