Xinchen Semiconductor mengumumkan pelancaran peralatan epitaxial baharu, meliputi semua sistem material

Xinchen Semiconductor mengumumkan bahawa peralatan epitaxial baharunya telah dimasukkan ke dalam pengeluaran secara rasmi, meliputi sistem semua bahan cip gallium arsenide (GaAs) dan indium phosphide (InP). Pada masa ini, syarikat itu telah berjaya mencapai pengeluaran besar-besaran wafer epitaxial dalam julat panjang gelombang dari 760nm hingga 1700nm, dan keseragaman epitaxial dikawal dalam jarak 2nm di luar panjang gelombang pusat pengikat. Selain itu, wafer epitaxial cip laser dengan panjang gelombang biasa, seperti 808, 850, 905, 940, 1064, 1550, dan 1654nm, telah berjaya disahkan dalam barisan pengeluaran bebas untuk cip VCSEL atau DFB.