شرکت Xinchen Semiconductor از راه اندازی تجهیزات جدید همپایی خبر داد که تمام سیستم های مواد را پوشش می دهد

شرکت Xinchen Semiconductor اعلام کرد که تجهیزات اپیتاکسیال جدید خود به طور رسمی وارد تولید شده است که سیستم‌های تمام مواد ترکیبی چهارتایی تراشه‌های نوری گالیم آرسنید (GaAs) و فسفید ایندیم (InP) را پوشش می‌دهد. در حال حاضر، این شرکت با موفقیت به تولید انبوه ویفرهای اپیتاکسیال در محدوده طول موج 760 نانومتر تا 1700 نانومتر دست یافته است و یکنواختی همپایی در 2 نانومتر خارج از طول موج مرکز لیزر کنترل می شود. علاوه بر این، ویفرهای اپیتاکسیال تراشه لیزری با طول موج‌های معمولی مانند 808، 850، 905، 940، 1064، 1550 و 1654 نانومتر، با موفقیت در خطوط تولید مستقل برای تراشه‌های VCSEL یا DFB تأیید شده‌اند.